10個セットの価格です！（¥430/個）


MOSFETトランジスタ　2SJ607-AZ


【特性】
・チャンネルタイプ：P
・最大連続ドレイン電流：332 A
・最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
・パッケージタイプ：TO-220
・実装タイプ：表面実装
・ピン数：3
・最大ドレイン-ソース間抵抗：16 mΩ
・チャンネルモード：エンハンスメント型
・最大ゲートしきい値電圧：2.5V
・最大パワー消費：160 W
・トランジスタ構成：シングル
・最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
・1チップ当たりのエレメント数：1
・幅：8.5mm
・標準ゲートチャージ @ Vgs：188 nC @ 10 V
・高さ：4.8mm
・動作温度：Max+150 °C
・長さ：10mm
・トランジスタ素材：Si


【特長】
・直接大電力制御が可能
・高速スイッチング、低オン抵抗、並列動作の容易
・スイッチング速度がバイポーラトランジスタの1/10〜1/100であり、スイッチング損失を提言可能
・オン時には抵抗特性となるため、小電流域においては、バイポーラトランジスタより低損失化が可能
・オン抵抗の正の温度計数特性により並列動作が容易
・電圧/電流の値は、ほぼ定格電力（一定）の範囲で許容



#NEC
#ルネサス
#トランジスタ
#Transistor
#電子回路
#半導体